摘要:一種超薄軟硬結(jié)合板的熱塑聚酰亞胺減法工藝,其步驟選用硬質(zhì)金屬板作為基板,在硬板區(qū)域做開孔;樹脂塞孔,研磨;兩面壓合第一、第二TPI層和銅箔;對步驟3)壓合完的銅箔進行減銅,鉆孔;做沉銅和整版鍍銅;曝光顯影;蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅,脫膜;背面壓合第三TPI層和銅箔;對步驟9)壓合完的銅箔進行減銅,鉆孔;做沉銅與整版鍍銅;曝光顯影;蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅;脫膜;激光TPI;曝光顯影;蝕刻金屬板;脫膜;阻焊。此工藝簡單合理,易加工,制備的軟硬結(jié)合板具有厚度更薄、強度高、不易變形的特點,同時生產(chǎn)效率高,成本也較低。
部分軟硬結(jié)合板樣品圖
隨著技術(shù)的不斷進步,對電子產(chǎn)品的功能要求越來越高,同時外觀上也非常注重短、小、輕、薄,為此多層集成功能的線路板越來越多的被采用,尤其是軟硬結(jié)合板在近幾年得到迅猛的發(fā)展。在軟硬結(jié)合板的制備過程中,還存在很多問題,不但生產(chǎn)難度大、工藝復(fù)雜,成本高,還存在結(jié)合力不良、變形分層等缺陷,產(chǎn)品合格率及性能始終沒有大的突破,尤其是超薄軟硬結(jié)合板的制備,存在的問題更多,集中在以下幾方面:
一、需要使用環(huán)氧樹脂和玻璃纖維組合而成的半固化片,作為硬板支撐層,如果要提升產(chǎn)品強度,必須要增加PP厚度,這樣Z方向的尺寸就會變大,產(chǎn)品變厚;
二、常規(guī)的覆蓋膜是由環(huán)氧樹脂膠和聚酰亞胺組合而成,通過環(huán)氧樹脂膠和產(chǎn)品粘合,因覆蓋膜需要滿足繞曲要求,所以膠層的模量、抗張強度、Tg點都比較低,所以在相同厚度的情況下,軟板區(qū)域的整體強度也受到限制;
三、常規(guī)軟硬結(jié)合板的硬板層,有覆蓋膜的環(huán)氧樹脂膠、聚酰亞胺(PI)、玻璃纖維半固化片的環(huán)氧樹脂以及二氧化硅填料、阻焊油墨等,材料種類太多,熱膨脹系數(shù)難以匹配,經(jīng)過回流焊后變形難以控制;
四、傳統(tǒng)的鋼片/銅片等金屬補強,是通過導(dǎo)電膠粘合,使產(chǎn)品和金屬補強粘結(jié)并導(dǎo)通,導(dǎo)電膠是一種樹脂和導(dǎo)電粒子的混合物,在常溫中容易吸濕,導(dǎo)電粒子被氧化影響導(dǎo)電性;且過回流焊高溫制程后,樹脂容易膨脹影響導(dǎo)電性,嚴重的會導(dǎo)致爆板不良;
五:打線鍵合工藝中,劈刀下壓時產(chǎn)品的支撐強度是打線品質(zhì)的重要影響因素之一,產(chǎn)品支撐力好,打線良率高,傳統(tǒng)的軟硬結(jié)合板結(jié)構(gòu)中有覆蓋膜的樹脂層,強度低,會影響打線效果。
因此需要設(shè)計出一種新的超薄板的制備工藝,來滿足生產(chǎn)的需要。
此方法所要解決的技術(shù)問題是提供一種工藝簡單合理、易加工的超薄軟硬結(jié)合板的熱塑聚酰亞胺減法工藝,制備的軟硬結(jié)合板具有厚度薄、不易變形、布線集成度高的特點。
解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:一種超薄軟硬結(jié)合板的熱塑聚酰亞胺減法工藝
1)選用硬質(zhì)金屬板作為基板,并在金屬基板的硬板區(qū)域采用蝕刻、機械鉆孔或者激光鉆孔得到開孔;
2)對金屬基板的硬板區(qū)域開孔處進行樹脂塞孔、研磨;
3)在金屬板的兩面壓合第一、第二TPI層和銅箔;
4)對步驟3)壓合完的銅箔進行減銅,鉆孔;
5)做沉銅和整版鍍銅;
6)曝光顯影:在兩面壓上感光干膜,兩面曝光線路,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移;經(jīng)顯影后,去除非線路區(qū)域干膜;
7)減法工藝:蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅;
8)去除干膜,在第一、第二TPI層上形成兩面線路;
9)在電鍍后線路板背面壓合第三TPI層和銅箔;
10)對步驟9)壓合完的銅箔進行減銅,鉆孔;
11)做沉銅與整版鍍銅,另一面貼抗電鍍膠帶作業(yè);
12)曝光顯影:一面壓上感光干膜,另一面貼抗電鍍膠帶,單面曝光線路,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移;經(jīng)顯影后,去除非線路區(qū)域干膜;
13)減法工藝:蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅;
14)去除干膜,在第三TPI層上形成單面線路;
15)激光工藝:去除金屬基板上中間非硬板區(qū)域和尾部硬板區(qū)域的第一TPI層;
16)曝光顯影:在兩面壓上感光干膜,單面曝光,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移;經(jīng)顯影后,去除金屬基板非硬板區(qū)域干膜;
17)減法工藝:蝕刻去除金屬基板非硬板區(qū)域上的硬質(zhì)金屬板;
18)去除干膜,形成超薄軟硬結(jié)合板結(jié)構(gòu);
19)絲印阻焊:印刷油墨,獲得阻焊絲印層,即得到產(chǎn)品超薄軟硬結(jié)合板。
作為優(yōu)選,所述步驟1)硬質(zhì)金屬板為鋼板、銅板、鎳板或者其他硬質(zhì)金屬板,其最佳厚度為90-110um。
作為改進,所述步驟1)開孔采用蝕刻、機械鉆孔或者激光鉆孔得到。
作為改進,所述步驟2)硬板區(qū)域指的是頭部與尾部,此款產(chǎn)品以頭部開孔為示例說明;研磨是將開孔孔口處樹脂凸起部分進行研磨,直至樹脂高度與硬質(zhì)金屬板平齊。
作為改進,所述步驟3)第一、第二TPI層和銅箔的壓合采用真空壓合或普通快壓,第一、第二TPI層采用熱塑聚酰亞胺材料做成,最佳厚度為18-22um。
作為改進,所述步驟4)、步驟10)減銅是指對面銅減薄,形成1-3um厚度的銅質(zhì)材料層;鉆孔是采用激光鉆孔。
作為優(yōu)選,所述步驟5)做沉銅和整版鍍銅,沉銅和整版鍍銅的最佳厚度為10-20um。
作為改進,所述步驟6)曝光線路為菲林曝光或者是LDI機曝光,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。
作為改進,所述步驟7)、步驟13)減法工藝:蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅。
作為改進,所述步驟9)第三TPI層和銅箔的壓合采用真空壓合或普通快壓,第三TPI層采用熱塑聚酰亞胺材料做成,最佳厚度為18-22um。
作為優(yōu)選,所述步驟11)做沉銅與整版鍍銅,另一面貼抗電鍍膠帶作業(yè),沉銅與整版鍍銅的最佳厚度為10-20um。
作為改進,所述步驟12)曝光線路為菲林曝光或者是LDI機曝光,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移;另一面貼抗電鍍膠帶是防止蝕刻液咬蝕線路,起保護作用。
作為改進,所述步驟15)激光工藝:去除金屬基板上中間非硬板區(qū)域和尾部硬板區(qū)域的第一TPI層。
作為改進,所述步驟16)單面曝光為菲林曝光或者是LDI機曝光,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。
作為改進,所述步驟17)減法工藝:蝕刻去除金屬基板非硬板區(qū)域上的硬質(zhì)金屬板。
作為優(yōu)選,所述步驟19)印刷油墨的最佳厚度為15-30um。
本文所述的產(chǎn)品為三層板疊構(gòu),如要進行多層制備,可重復(fù)上述9)10)11)12) 步驟,即可制得。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,此方法的優(yōu)點在于:采用鋼板、銅板或者鎳板作為基板,不但能增加芯片貼裝時的支撐力,還能減小芯片的變形量;鋼板、銅板或者鎳板嵌入到線路板內(nèi),可以滿足接地、散熱、支撐的要求,而且以金屬作為硬板制程層,其強度大大提升;鋼板、銅板或者鎳板和線路直接通過銅導(dǎo)體連接,接地導(dǎo)通阻值可以做到1Ω以下,且不會因為過回流焊的高溫而變化;絕緣材料采用純PI,不但易加工,材料單一,CTE 匹配度更高;使用TPI材料,基于傳統(tǒng)的蝕刻減法工藝,工藝成熟;TPI上直接壓合一層銅,然后對這個銅減薄,形成1-3μm厚度的銅質(zhì)材料層,與常規(guī)的沉銅種子銅比較,直接熱壓的銅質(zhì)材料層結(jié)合力更好,表面光滑,且能達到電鍍薄銅的目的。此工藝工藝簡單,易加工,制備的軟硬結(jié)合板具有厚度更薄、強度高、不易變形的特點,同時生產(chǎn)效率高,成本也較低。
以下結(jié)合附圖實施例對此工藝作進一步詳細描述。
如圖1.1~1.2所示,一種超薄軟硬結(jié)合板的熱塑聚酰亞胺減法工藝,本實施例的超薄軟硬結(jié)合板的結(jié)構(gòu)分為三部分,分別是頭部硬板部分A、軟板連接帶區(qū)域B和尾部硬板區(qū)域C,常規(guī)板材頭部硬板部分A厚度要求是0.3-0.4mm、尾部硬板區(qū)域C厚度要求是0.3-0.45mm、軟板連接帶區(qū)域B厚度要求是0.08-0.12mm;此款超薄軟硬結(jié)合版頭部硬板部分A厚度要求是0.2-0.3mm、尾部硬板區(qū)域C厚度要求是0.15-0.2mm、軟板連接帶區(qū)域B厚度要求是0.04-0.08mm,具體制備過程包括以下步驟:
1)選用硬質(zhì)金屬板作為基板,通常步驟1)中硬質(zhì)金屬板采用鋼板、銅板或者鎳板,其最佳厚度在90-110um,本實施舉例的金屬板推薦采用鋼板1,鋼板1厚度為100um;并在金屬基板的硬板區(qū)域采用蝕刻、機械鉆孔或者激光鉆孔得到開孔11,參見圖1.1(1)、 (2);
2)對步驟1)的開孔11進行樹脂12塞孔,研磨;此款產(chǎn)品以頭部開孔為示例說明,在開孔11中填充上樹脂,樹脂12通常是采用環(huán)氧樹脂材料塞孔,然后將開孔11孔口處樹脂凸起部分進行研磨,直至樹脂12高度與硬質(zhì)金屬板平齊,參見圖1.1(3)、(4);
3)在鋼板1的兩面壓合第一TPI層2和銅箔3、第二TPI層2.1和銅箔3.1,第一 TPI層2和銅箔3、第二TPI層2.1和銅箔3.1的壓合采用真空壓合或普通快壓,第一 TPI層2和第二TPI層2.1采用熱塑聚酰亞胺材料做成,最佳厚度為18-22um,分別在鋼板1的表面和銅箔3、銅箔3.1之間位置,參見圖1.1(5);
4)減銅,鉆孔;對步驟3)壓合完的銅箔3、銅箔3.1減薄,形成1-3um厚度的銅質(zhì)材料層;鉆孔是采用激光鉆孔;在開孔11內(nèi)加工出直徑小于金屬板開孔11的孔,從而形成新的導(dǎo)通孔10,并且在鋼板1上的第一TPI層2和銅箔3以及第二TPI層2.1和銅箔3.1之間形成盲孔10.1,參見圖1.1(6);
5)做沉銅和整版鍍銅,沉銅和鍍銅的最佳厚度為10-20um,新的導(dǎo)通孔10通過電鍍的方式使其在孔壁上填上一層銅質(zhì)材料層4,與面銅的銅箔3、銅箔3.1連通;盲孔 10.1通過電鍍的方式使其孔內(nèi)填滿銅質(zhì)材料,與面銅的銅箔3、銅箔3.1連通,參見圖 1.1(7);
6)曝光顯影:在兩面壓上感光干膜5、兩面曝光線路,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移,曝光線路采用菲林曝光或者是LDI機曝光,經(jīng)顯影后,去除非線路區(qū)域干膜,參見圖1.1(8);
7)減法工藝:蝕刻去除非線路區(qū)域干膜未覆蓋的銅,參見圖1.1(9);
8)去除干膜5,在第一、第二TPI層上形成兩面第一線路層13,參見圖1.1(10);
9)在電鍍后線路板背面壓合第三TPI層6和銅箔7,第三TPI層6和銅箔7的壓合采用真空壓合或普通快壓,第三TPI層6采用熱塑聚酰亞胺材料做成,最佳厚度為 18-22um范圍,在鋼板1的表面和銅箔7之間位置,在壓合過程中使鋼板1下面的第三 TPI層6通過第一線路層13銅箔的間隙和第二TPI層2.1壓接在一起,參見圖1.1(11);
10)減銅,鉆孔;對步驟9)壓合完的銅箔7減薄,形成1-3um厚度的銅質(zhì)材料層;鉆孔是采用激光鉆孔,在第一線路層13上的第三TPI層6和銅箔7中形成盲孔10.2,參見圖1.2(12);
11)做沉銅和整版鍍銅,沉銅和鍍銅的最佳厚度為10-20um,盲孔10.2通過電鍍的方式使其孔內(nèi)填滿銅質(zhì)材料,與面銅的銅箔8連通,另一面可貼抗電鍍膠帶作業(yè),參見圖1.2(13);
12)曝光顯影:下面壓上感光干膜9,另一面貼抗電鍍膠帶,單面曝光線路,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移,曝光采用菲林曝光或者是LDI機曝光,經(jīng)顯影后,去除非線路區(qū)域干膜,參見圖1.2(14);
13)減法工藝:蝕刻去除非線路區(qū)域干膜為覆蓋的銅,參見圖1.2(15);
14)去除干膜9,在第三TPI層上形成一面第二線路層14,參見圖1.2(16);
15)激光工藝:去掉金屬基板上中間非硬板區(qū)域B和尾部硬板區(qū)域C的第一TPI 層2,參見圖1.2(17);
16)曝光顯影:兩面壓上感光干膜20,單面曝光,實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移,經(jīng)顯影后,去除金屬基板非硬板區(qū)域干膜,參見圖1.2(18);
17)減法工藝:蝕刻去除金屬基板非硬板區(qū)域上的硬質(zhì)金屬板,參見圖1.2(19);
18)去除干膜20,形成超薄軟硬結(jié)合板結(jié)構(gòu),參見圖1.2(20);
19)絲印阻焊:印刷油墨,獲得阻焊絲印層30,印刷油墨的最佳厚度為15-30um,并進行表面處理、測試、外形等后,即得到產(chǎn)品超薄軟硬結(jié)合板,參見圖1.2(21)。
一、Z方向的產(chǎn)品厚度更薄,XY方向尺寸更??;
二、使用TPI材料,基于傳統(tǒng)的蝕刻減法工藝,工藝成熟;
三、絕緣材料為純PI,易加工,材料單一,熱膨脹系數(shù)容易匹配;
四、將鋼片/銅片等金屬材質(zhì)直接嵌入頂層之下,能增加芯片貼裝時的支撐力,減少芯片變形量;
五、TPI上直接壓合一層銅,然后對這個銅減薄,形成1-3μm厚度的銅質(zhì)材料層,與常規(guī)的沉銅種子銅比較,直接熱壓的銅質(zhì)材料層結(jié)合力更好,表面光滑,且能達到電鍍薄銅的目的。
六、鋼片/銅片等金屬材質(zhì)嵌入到線路板內(nèi),可以滿足接地、散熱、支撐的要求,而且以金屬作為硬板制程層,其強度大大提升;
七、鋼片/銅片等金屬材質(zhì)和線路直接通過銅導(dǎo)體連接,接地導(dǎo)通阻值可以做到1Ω以下,且不會因為過回流焊的高溫而變化。
圖1.1~1.2是此工藝實施例提供的TPI減法工藝的流程圖,其圖中(1)為鋼板投入,圖中(2)為做開孔,圖中(3)為樹脂塞孔,圖中(4)為研磨,圖中(5)為壓合第一、第二TPI層和銅箔,圖中(6)為減銅、鉆孔,圖中(7)為做沉銅和整版鍍銅;圖中(8) 為曝光顯影,圖中(9)為蝕刻,圖中(10)為脫膜,圖中(11)為單面壓合第三TPI 層和銅箔,圖中(12)為減銅、鉆孔,圖中(13)為做沉銅和整版鍍銅;圖中(14)為曝光顯影,圖中(15)為蝕刻,圖中(16)為脫膜,圖中(17)激光TPI,圖中(18) 曝光顯影,圖中(19)蝕刻,圖中(20)脫膜,圖中(21)阻焊。
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